Farnell SUP85N10-10-GE3 3772893

Artikelbeschreibung

Suchen Sie ein passendes Bauteil für Ihre Hausinstallation oder Anlage? Der Artikel SUP85N10-10-GE3 der bewährten Marke Farnell ist präzise auf die Anforderungen im Segment Elektrotechnik Energietechnik Netztechnik Schalttechnik Kabel Beleuchtung zugeschnitten. Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100V/85A 250000mW, 3-Pin TO-220AB.

Detaillierte Produktinformationen:
Produktdetails:
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

Technische Daten:
Eigenschaft: Wert
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 85 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Gehäusegröße: TO-220AB
Montage-Typ: Durchsteckmontage
Pinanzahl: 3
Drain-Source-Widerstand max.: 10,5 m?
Channel-Modus: Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Verlustleistung max.: 250000 mW
Transistor-Konfiguration: Einfach
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Breite: 4,7mm
Länge: 10,41mm
Betriebstemperatur max.: +175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff: Si
Höhe: 9,01mm
Betriebstemperatur min.: -55 °C
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